今、出先のためスクリーンショットを載せられませんが、トランス部分をほぼ無損失として、ネットで拾ってきた2SK125のモデルを入れて、入力電源を50Ω/1〜10μVp-p、負荷に50Ωの抵抗を抱かせてシミュレートしてみたところ、FET1発で電力ゲイン(V(rfin)/V(rfiut))^2)が9dBくらいになり、「あれ?」な結果に。
定数とトランスの巻線比を修正してFETを2パラにしてみたけど、実はそれでもゲインが変わらない…
何かがおかしいなあ。
拾ってきたモデルがおかしいのか、実際の回路で引っかかるはずのなんらかの制限範囲にシミュレーションでは引っかかってないのか。
余談ですがトランスの結合係数を0.99などに下げると、200MHzあたりで共振してゲインが上がる。ドレインに入れている抵抗を外すと発振するかも?
もう少し遊んでみます。